电子在同向双δ-磁垒纳米结构中自旋相关的居留时间

我们计算电子在同向双δ-磁垒纳米结构中的居留时间,其中纳米结可通过在InAs/AlxIn1-xAs半导体异质结的上、下表面分别制作两个不对称的铁磁条带构筑。我们发现,由于电子的自旋与结构中磁场的相互作用,居留时间与电子的自旋相关。而且,自旋极化居留时间的大小及符号可通过磁场、应用电压以及两δ-磁垒之间的间隔实行调控。因此,电子的自旋可在时间维度上进行分离,同时该磁纳米结构可用于自旋电子学器件应用中的一个可控时间自旋分离器。