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基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究
引用本文:张琴,艾尔肯·阿不都瓦衣提,尹华,张炜楠,邓芳,龙涛,李左翰. 基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究[J]. 微电子学, 2022, 52(6): 1055-1060
作者姓名:张琴  艾尔肯·阿不都瓦衣提  尹华  张炜楠  邓芳  龙涛  李左翰
作者单位:云南师范大学 能源与环境科学学院, 昆明 650500;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
基金项目:国防基础科研计划项目(JCKY2019210C031)
摘    要:对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm2·mg-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。

关 键 词:DC/DC变换器  总剂量辐照  单粒子辐照  辐射损伤效应
收稿时间:2021-11-09

Research of Total Dose and Single Event Effects of GaN-Based DC/DC Converter
ZHANG Qin,AIERKEN Abuduwayiti,YIN Hu,ZHANG Weinan,DENG Fang,LONG Tao,LI Zuohan. Research of Total Dose and Single Event Effects of GaN-Based DC/DC Converter[J]. Microelectronics, 2022, 52(6): 1055-1060
Authors:ZHANG Qin  AIERKEN Abuduwayiti  YIN Hu  ZHANG Weinan  DENG Fang  LONG Tao  LI Zuohan
Affiliation:School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming 650500, P.R.China;The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, P.R.China
Abstract:
Keywords:DC/DC converter   total dose irradiation   single event effect   radiation damage effect
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