| 一种基于SiGe BiCMOS工艺的单片集成光接收机前端放大电路 |
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| 引用本文： | 陈宇星,徐永佳,孔谋夫,廖希异,吴克军,徐开凯.一种基于SiGe BiCMOS工艺的单片集成光接收机前端放大电路[J].微电子学,2022,52(6):936-941. |
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| 作者姓名： | 陈宇星 徐永佳 孔谋夫 廖希异 吴克军 徐开凯 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62174018)；四川省杰出青年科技人才基金(2020JDJQ0022)；国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2018YFE0181500) |
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| 摘 要： | 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种25 Gbit/s的光接收机前端放大电路单片集成的放大电路。该电路实现了光接收机前端放大电路的单片集成,并采用带反馈系统的跨阻放大器、电感峰化、自动增益控制电路等设计有效提高了增益、带宽和系统稳定性。经仿真与测试,该设计增益达到69.9 dB,带宽为19.1 GHz,并在工业级芯片工作温度(-40℃~+85℃)下带宽误差不超过0.1%。该芯片工作时需要的供电电流为45 mA,功耗为81 mW,信号抖动RMS值为5.8 ps,具有良好的性能和稳定性。本设计提供了一种能够适用于100 Gbit/s(25 Gbit/s×4线)光互连系统的设计方案,具有广泛的应用前景。
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| 关 键 词： | SiGe BiCMOS工艺 光接收机 跨阻放大器 光通信 |
| 收稿时间： | 2021/10/28 0:00:00 |
A Front-End Amplifying Circuit of Monolithic Integrated Optical Receiver Based on SiGe BiCMOS Process |
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| CHEN Yuxing,XU YongJi,KONG Moufu,LIAO Xiyi,WU Kejun,XU Kaikai.A Front-End Amplifying Circuit of Monolithic Integrated Optical Receiver Based on SiGe BiCMOS Process[J].Microelectronics,2022,52(6):936-941. |
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| Authors: | CHEN Yuxing XU YongJi KONG Moufu LIAO Xiyi WU Kejun XU Kaikai |
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| Institution: | State Key Lab.of Elec.Thin Films and Integr.Dev., Univ.of Elec.Sci.Technol of China, Chengdu 610054, P.R.China;The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe BiCMOS process optical receiver transimpedance amplifier (TIA) optical communication |
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