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| 光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究 | |
| 引用本文： | 谌达宇,王建宝,靳彩霞,陆日方,孙恒慧.光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究[J].电子显微学报,1997(4). |
| 作者姓名： | 谌达宇 王建宝 靳彩霞 陆日方 孙恒慧 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道综合物理实验室 |
| 摘 要： | 光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带... |
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