| 半导体氮化铟(InN)的晶格振动 |
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| 引用本文： | 钱志刚,沈文忠,小川博司,郭其新.半导体氮化铟(InN)的晶格振动[J].物理学进展,2003,23(3):257-283. |
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| 作者姓名： | 钱志刚 沈文忠 小川博司 郭其新 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030
2. 佐贺大学理工学部电气与电子工程系,佐贺,840-8502,日本 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金(NSFC10125416)，教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划 |
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| 摘 要： | 本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状，主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果。重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等，也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究。同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望。
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| 关 键 词： | 半导体 氮化铟 薄膜 晶格振动 InN Raman散射光谱 红外光谱 量子阱 量子点 超晶格 |
| 文章编号： | 1000-0542(2003)03-0257-27 |
| 修稿时间： | 2003年3月20日 |
LATTICE VIBRATIONAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR InN |
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| QIAN Zhi_gang,SHEN Wen_zhongCorresponding author.LATTICE VIBRATIONAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR InN[J].Progress In Physics,2003,23(3):257-283. |
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| Authors: | QIAN Zhi_gang SHEN Wen_zhongCorresponding author |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN thin films lattice vibration Raman scattering infrared spectroscopy |
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