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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战
引用本文:刘洪图 吴自勤. 超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战[J]. 物理, 2002, 31(1): 11-16
作者姓名:刘洪图 吴自勤
作者单位:[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学天文和应用物理系,合肥230026
摘    要:随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构,接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战。

关 键 词:超大规模集成电路 接触电阻 自对准硅化物 工艺 大直径硅晶片 CMOS 器件结构 材料物理 尺寸缩小
修稿时间:2001-01-15

SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION(PART
Abstract:
Keywords:
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