超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战 |
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引用本文: | 刘洪图 吴自勤. 超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战[J]. 物理, 2002, 31(1): 11-16 |
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作者姓名: | 刘洪图 吴自勤 |
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作者单位: | [1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学天文和应用物理系,合肥230026 |
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摘 要: | 随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构,接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战。
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关 键 词: | 超大规模集成电路 接触电阻 自对准硅化物 工艺 大直径硅晶片 CMOS 器件结构 材料物理 尺寸缩小 |
修稿时间: | 2001-01-15 |
SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION(PART |
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