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超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战
引用本文:刘洪图,吴自勤.超大规模集成电路的一些材料物理问题(Ⅱ)—尺寸缩小带来的巨大挑战[J].物理,2002,31(1):11-16.
作者姓名:刘洪图  吴自勤
作者单位:[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学天文和应用物理系,合肥230026
摘    要:随着CMOS技术缩至100nm或更小,在CMOS器件结构,接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战。

关 键 词:超大规模集成电路  接触电阻  自对准硅化物  工艺  大直径硅晶片  CMOS  器件结构  材料物理  尺寸缩小
修稿时间:2001年1月15日

SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FOR ULTRA LARGE SCALE INTEGRATION(PART
Abstract:
Keywords:
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