| Y(Ba_(1-x)Gd_x)_2Cu_3O_(7-δ)的临界电流密度特征 |
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| 引用本文： | 徐胜,吴小山,顾艳妮.Y(Ba_(1-x)Gd_x)_2Cu_3O_(7-δ)的临界电流密度特征[J].低温与超导,2010,38(4). |
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| 作者姓名： | 徐胜 吴小山 顾艳妮 |
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| 作者单位： | 1. 江苏科技大学张家港校区,张家港,215600
2. 南京大学,南京,210093 |
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| 基金项目： | 江苏科技大学博士科研启动基金 |
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| 摘 要： | 多晶样品Y(Ba1-xGdx)2Cu3O7-δ(YBGCO)(x=0.0,0.02,0.03,0.05,0.08,0.10)是由标准固相反应法制备获得。XRD的Rietveld精修显示,Gd成功地部分替代YBa2Cu3O7-δ(YBCO)晶胞中的Ba位。实验结果表明,对于某一固定磁场Y(Ba1-xGdx)2Cu3O7-δ的临界电流密度(Jc)在x=0.05有最大值。此外,尽管YBGCO的超导温度(Tc)明显地单调下降,但微量的Gd掺杂导致磁场中YBGCO的Jc的提高。Jc随着Gd掺杂量不同而变化的特征行为可以认为,是由Gd掺杂引起的两种不同的效果竞争共同作用造成的,即纳米尺度范围内空间分布不均匀性和超导性的变化。
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| 关 键 词： | Y(Ba1-xGdx)2Cu3O7-δ 临界电流密度 磁通钉扎 |
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