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| 基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源 | |
| 引用本文： | 陈培腾,王卫东,黎官华.基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源[J].电子器件,2016,39(3). |
| 作者姓名： | 陈培腾 王卫东 黎官华 |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学 |
| 摘 要： | 利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差△VGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于△VGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准源。电路基于CSMC 0.5um标准CMOS工艺设计，仿真结果表明：在5V电源电压下，基准输出电压为1.258V；在-40～125℃的温度范围内，温度系数为1.24ppm/℃；低频时电源抑制比PSRR为-68dB；电源电压在3.5～6.5V范围内工作，线性调整率为0.4mV/V。适用于高精度带隙基准源。 |
| 关 键 词： | 带隙基准源 亚阈区 低温度系数 |
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