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| 4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析 | |
| 引用本文： | 陆秋俊,王中健.4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析[J].电子器件,2016,39(3). |
| 作者姓名： | 陆秋俊 王中健 |
| 作者单位： | 无锡职业技术学院 |
| 基金项目： | 江苏省科技厅前瞻性研究项目 |
| 摘 要： | 基于文献报道的4H-SiC材料的各向异性物理特性，首次提出4H-SiC基超结器件的各向异性物理模型，并对不同晶向的碰撞电离分别进行考虑。基于该模型，我们对 和 两种晶向晶圆的4H-SiC超结器件的电学特性进行了研究。与 晶圆相比， 晶圆的碰撞电离系数较小，可以实现更高的击穿电压。由于碰撞电离各向异性，与传统4H-SiC基器件相比，超结器件的二维电场分布可以将 晶圆器件的击穿电压从 晶圆器件的60%提高到72%。 |
| 关 键 词： | 功率器件，超结，4H-SiC，各向异性碰撞电离系数，击穿电压(BV) |
TCAD Modeling of anisotropy 4H-SiC superjunction devices |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Power device Superjunction(SJ) 4H-SiC anisotropic impact ionization coefficient(IIC) Breakdown Voltage (BV) |
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