|
|||||
|
|
| EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响 | |
| 引用本文： | 毛友德,夏冠群.EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响[J].半导体杂志,2000,25(3):8-13. |
| 作者姓名： | 毛友德 夏冠群 |
| 作者单位： | [1]合肥工业大学应用物理系 [2]中国科学院上海冶金研究所 |
| 摘 要： | 在建立的理论模型基础之上，定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响，指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素，ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响程度与ＥＬ２能给的缺陷密度呈线性关系。 |
| 关 键 词： | EL2能级 夹断电压 砷化镓 MESFET |
Effect of EL2 Level on GaAs MESFETs' Pinch-off Voltage |
|
| Authors: | MAO You-de GU Chen-yu DING Yong NING Jun XIA Guan-qun ZHAO Jian-long ZHAO Fu-chuan |
| Institution: | MAO You-de 1 GU Chen-yu 1 DING Yong 1 NING Jun 1 XIA Guan-qun 2 ZHAO Jian-long 2 ZHAO Fu-chuan 2 |
| Abstract: | |
| Keywords: | EL2 level pinch-off voltage dot defect |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |