| Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长 |
| |
| 引用本文： | 杨波波,徐家跃,申慧,张彦,陆宝亮,江国健. Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长[J]. 人工晶体学报, 2013, 0(1): 13-16 |
| |
| 作者姓名： | 杨波波 徐家跃 申慧 张彦 陆宝亮 江国健 |
| |
| 作者单位： | 上海应用技术学院材料科学与工程学院 |
| |
| 基金项目： | 国家973前期专项(2011CB612310);上海市科委基础研究重点项目(11JC1412400);上海市教委重点学科(J51504) |
| |
| 摘 要： | 本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12(BGSO)固溶体(x=0～0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为。实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0～0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长。采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能。
|
| 关 键 词： | Bi4Si3O12 Bi4Ge3O12 析晶行为 坩埚下降法 晶体生长 |
Crystallization Behavior of Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12 Pseudo-binary System and Its Crystal Growth |
| |
| YANG Bo-bo,XU Jia-yue,SHEN Hui,ZHANG Yan,LU Bao-liang,JIANG Guo-jian. Crystallization Behavior of Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12 Pseudo-binary System and Its Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 0(1): 13-16 |
| |
| Authors: | YANG Bo-bo XU Jia-yue SHEN Hui ZHANG Yan LU Bao-liang JIANG Guo-jian |
| |
| Affiliation: | (School of Materials Science and Engineering,Shanghai Institute of Technology,Shanghai 201418,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
