| In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应 |
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| 引用本文： | 商丽燕,林 铁,周文政,李东临,高宏玲,曾一平,郭少令,俞国林,褚君浩.In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应[J].物理学报,2008,57(8):5232-5236. |
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| 作者姓名： | 商丽燕 林 铁 周文政 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 俞国林 褚君浩 |
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| 作者单位： | (1)中国科学院半导体研究所，北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083；广西大学物理科学与工程技术学院，南宁 530004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60221502)、国家重点基础研究发展规划(批准号：2007CB924901)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在低温强磁场条件下，对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应，在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和，分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后，通过分析低磁场下的正磁电阻，得到了每个子带电子的迁移率，结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明，这主要是由两个子带之间的
关键词：
二维电子气
正磁电阻
子带散射
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| 关 键 词： | 二维电子气 正磁电阻 子带散射 |
| 收稿时间： | 2007-12-03 |
Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well |
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| Shang Li-Yan,Lin Tie,Zhou Wen-Zheng,Li Dong-Lin,Gao Hong-Ling,Zeng Yi-Ping,Guo Shao-Ling,Yu Guo-Lin and Chu Jun-Hao.Positive magnetoresistance in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well[J].Acta Physica Sinica,2008,57(8):5232-5236. |
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| Authors: | Shang Li-Yan Lin Tie Zhou Wen-Zheng Li Dong-Lin Gao Hong-Ling Zeng Yi-Ping Guo Shao-Ling Yu Guo-Lin and Chu Jun-Hao |
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| Abstract: | Magnetotransport measurements have been carried out on In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells in a temperature range between 1.5 and 77K. We have observed a large positive magnetoresistance in the low magnetic field range， but saturating in high magnetic fields. The magnetoresistance results from two occupied subbands in the two-dimensional electron gas. With the intersubband scattering considered， we obtained the subband mobility by analyzing the positive magnetoresistance. It is found that the second subband mobility is larger than that of the first due to the existence of the intersubband scattering. |
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| Keywords: | two-dimensional electron gas positive magnetoresistance intersubband scattering |
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