| 不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响 |
| |
| 引用本文： | 王晓东,刘会.不同组分InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响[J].物理学报,2000,49(11). |
| |
| 作者姓名： | 王晓东 刘会 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 科技部攀登计划，中国科学院资助项目 |
| |
| 摘 要： | 研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响.透射电子显微镜和原子力显微镜表明,InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小,并且x＝0.3时,InGaAs在InAs量子点上继续成岛.随x值的增大,量子点的光荧光峰红移,但随温度的变化发光峰峰位变化不明显.理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因.
|
| 关 键 词： | 量子点 盖层 应力 红移 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
