| 真空退火对周期性界面掺杂Ni80Co20薄膜磁性的影响 |
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| 引用本文： | 童六牛,何贤美,鹿牧.真空退火对周期性界面掺杂Ni80Co20薄膜磁性的影响[J].物理学报,2000,49(11). |
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| 作者姓名： | 童六牛 何贤美 鹿牧 |
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| 作者单位： | 1. 华东冶金学院冶金工程系,马鞍山,243002
2. 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 |
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| 摘 要： | 用磁控溅射方法制备了两个具有不同Fe层厚度的Ni80Co20(L)/Fe(tFe)]N多层膜系列样品,其中tFe=0.1和2nm.研究了两个系列样品的磁及输运性质随Ni80Co20层厚度L的变化关系.在退火态Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品中,发现各向异性磁电阻(AMR)和横向磁电阻(TMR)在L为10nm附近存在一较宽的增强峰,其峰位与制备态Ni80Co20(L)/Fe(2nm)]25多层膜TMR的增强峰位一致.当L小于Ni80Co20合金的电子平均自由程时,制备态Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N样品的各向异性磁电阻(Δρ)和零场电阻率ρ都随L的减小而增加,且ρ的增量超过Δρ的增量.ρ随L的依赖关系可采用Fuchs-Sondheimer理论描述.在L小于10nm时,制备态界面掺杂Ni80Co20(L)/Fe(0.1nm)]N系列样品的矫顽力Hc随L近似直线上升,在L大于10nm后趋于饱和.退火后Hc显著下降.实验结果表明,在多层膜结构中,界面散射可导致ρ和Δρ的增强;磁性合金界面层还可导致畴结构的改变及TMR和AMR的增强.
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| 关 键 词： | 多层膜 各向异性磁电阻 界面效应 退火 |
EFFECT OF ANNEALING ON THE MAGNETIC PROPERTIES OF Ni80Co20 THIN FILMS WITH IMPURITY LAYERS |
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| TONG LIU-NIU,HE XIAN-MEI,LU MU.EFFECT OF ANNEALING ON THE MAGNETIC PROPERTIES OF Ni80Co20 THIN FILMS WITH IMPURITY LAYERS[J].Acta Physica Sinica,2000,49(11). |
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| Authors: | TONG LIU-NIU HE XIAN-MEI LU MU |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multilayers anisotropic magnetoresistance interfacial scattering annealing |
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