| Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究 |
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| 引用本文： | 孙永科,衡成林,王孙涛,秦国刚,马振昌,宗婉华. Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究[J]. 物理学报, 2000, 49(7) |
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| 作者姓名： | 孙永科 衡成林 王孙涛 秦国刚 马振昌 宗婉华 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理系,北京,100871
2. 信息产业部第十三研究所,砷化镓集成电路国家重点实验室,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 !(批准号 :5 983 2 10 0 ) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法 ,在n Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .
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| 关 键 词： | 电致发光 纳米双势垒 高斯型发光峰 雪崩击穿 |
ELECTROLUMINESENCE FROM Au/(SiO2/Si/SiO2)NANOSCALE DOUBLE-BARRIER/n+-Si STRUCTURE |
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| SUN YONG-KE,HENG CHENG-LIN,WANG SUN-TAO,QIN GUO-GANG,MA ZHEN-CHANG,ZONG WAN-HUA. ELECTROLUMINESENCE FROM Au/(SiO2/Si/SiO2)NANOSCALE DOUBLE-BARRIER/n+-Si STRUCTURE[J]. Acta Physica Sinica, 2000, 49(7) |
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| Authors: | SUN YONG-KE HENG CHENG-LIN WANG SUN-TAO QIN GUO-GANG MA ZHEN-CHANG ZONG WAN-HUA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electroluminescence nanoscale structure double|barrier Gaussian luminescent spectra avalanche |
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