| 表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响 |
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| 引用本文： | 杨林安,张义门,于春利,杨永民,张玉明. 表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响[J]. 计算物理, 2003, 20(5): 418-422 |
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| 作者姓名： | 杨林安 张义门 于春利 杨永民 张玉明 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子研究所, 陕西 西安 710071;2. 西北工业大学微波教研室, 陕西 西安 710072 |
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| 基金项目： | 国防科技预研基金(No.8.1.7.3)资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
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| 关 键 词： | 碳化硅 金属半导体场效应晶体管 表面态 钝化 |
| 文章编号： | 1001-246X(2003)05-0418-05 |
| 收稿时间： | 2002-05-31 |
| 修稿时间： | 2002-05-31 |
Surface-state Effects on Silicon Carbide Power MESFET's |
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| YANG Lin-an,ZHANG Yi-men,YU Chun-li,YANG Yong-min,ZHANG Yu-ming. Surface-state Effects on Silicon Carbide Power MESFET's[J]. Chinese Journal of Computational Physics, 2003, 20(5): 418-422 |
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| Authors: | YANG Lin-an ZHANG Yi-men YU Chun-li YANG Yong-min ZHANG Yu-ming |
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| Affiliation: | 1. Microelectronics Institute, Xidian University, Xi'an 710071, China;2. Microwave Laboratory, Northwestern Polytechnical University, Xi'an 710072, China |
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| Abstract: | An analytical non-linear model including surface-state effect is proposed for 4H-SiC power MESFET's with which the impact of suface damage at the ungate recess region caused by the dry-etching process on the output steady-state characterization can be illustrated clearly.The model has the advantage in very simple calculations over the 2D numerical simulations, therefore suitable for process analysis of SiC power MESFET's. |
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| Keywords: | silicon carbide MESFET surface-state passivation |
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