| Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 杨 宇,夏冠群,赵国庆,王 迅. Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响[J]. 物理学报, 1998, 47(6): 978-984 |
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| 作者姓名： | 杨 宇 夏冠群 赵国庆 王 迅 |
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| 作者单位： | (1)复旦大学物理二系，上海 200433; (2)复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海 200433; (3)中国科学院上海冶金研究所，上海 200050 |
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| 摘 要： | 对分子束外延生长带边激子发光的Si1-xGex/Si量子阱结构，通过Si离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变.Si离子注入量子阱中并在600℃的低温退火，形成链状或小板式的团簇缺陷，它导致深能级发光带的形成，在850℃的高温退火后重新观测到带边激子发光.这种团簇缺陷的热离化能约为0.1eV，比Si中空穴或填隙原子缺陷的热激活能(约0.05eV)高.这表明早期文献中报道的深能级发光带是由类似的团簇缺陷产生的.关键词：
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| 关 键 词： | 量子阱 发光性 硅离子注入 分子束外延 |
| 收稿时间： | 1997-04-29 |
Si+ ION IMPLANTATION INFLUENCE ON PHOTOLUMINESCENCE IN Si1-xGex/Si QUANTUM WELLS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY |
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| YANG YU,XIA GUAN-QUN,ZHAO GUO-QING and WANG XUN. Si+ ION IMPLANTATION INFLUENCE ON PHOTOLUMINESCENCE IN Si1-xGex/Si QUANTUM WELLS GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY[J]. Acta Physica Sinica, 1998, 47(6): 978-984 |
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| Authors: | YANG YU XIA GUAN-QUN ZHAO GUO-QING WANG XUN |
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| Abstract: | Ion implantation and annealing have been used to switch the luminescence in Si1-xGex/Si quantum wells from a band-edge exciton process to a broad well below the band edge. The damage introduced by silicon ion implants, which leads to the formation of the platelets correlated with broad band luminescence, is related to the track of an implanted ion and the recoiled atoms in the quantum well structures. The activation energy for defect clusters is about 0.1eV, which is larger compared with the activation energy of ～0.05 eV for interstitial atoms. This indicates that the defect clusters is responsible for the deep broad photoluminescence in early MBE samples. |
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