| n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究 |
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| 引用本文： | 桂永胜,褚君浩,蔡 毅,郑国珍,汤定元.n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究[J].物理学报,1998,47(8):1354-1360. |
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| 作者姓名： | 桂永胜 褚君浩 蔡 毅 郑国珍 汤定元 |
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| 作者单位： | (1)昆明物理研究所，昆明 650223; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：69738020)资助的课题. |
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| 摘 要： | 利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了n-HgCdTe器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势.由定量迁移率谱得到的结果与Shubnikov-de Hass测量结果以及理论计算的结果非常符合.
关键词：
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| 关 键 词： | 电子迁移率 中子带 汞镉碲器件 表面积累层 |
| 收稿时间： | 1997-10-14 |
STUDY ON THE ELECTRON MOBILITY FOR EACH SUBBAND ON THE n-HgCdTe ACCUMULATED LAYER |
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| GUI YONG-SHENG,CHU JUN-HAO,CAI YI,HENG GUO-ZHEN and TANG DING-YUAN.STUDY ON THE ELECTRON MOBILITY FOR EACH SUBBAND ON THE n-HgCdTe ACCUMULATED LAYER[J].Acta Physica Sinica,1998,47(8):1354-1360. |
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| Authors: | GUI YONG-SHENG CHU JUN-HAO CAI YI HENG GUO-ZHEN and TANG DING-YUAN |
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| Abstract: | By using quantitative mobility spectrum analysis technique, the temperature-dependent density and mobility for each subband of the accumulated layer on the n-HgCdTe devices have been determined from magnetic-field-dependent Hall and resistivity data.The results agree well with the Shubnikov-de Hass measurements and theoretical calculations. |
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| Keywords: | |
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