Pr~(3+)离子单掺LiLuF_4单晶的坩埚下降法生长及光谱性能研究（英文）

本文应用坩埚下降法技术在全密封铂金坩埚条件下生长了不同Pr~(3+)离子掺杂浓度的高质量LiLuF_4单晶.测定了单晶体从420 nm至500 nm的激发光谱.在446 nm光激发下,观察到单晶体480 nm(~3P_0→~3H_4)蓝色发射带、522 nm(~3P_1→~3H_5)绿色发射及605nm(~1D_2→~3H_4)的红色发射,其对应的平均寿命分别为38.5、37.3和36.8μs.其荧光寿命明显大于Pr~(3+)掺杂的氧化物单晶.同时研究了激发波长和掺杂浓度对发射强度以及色度坐标的影响.获得最佳的Pr~(3+)浓度为～0.5 mol%,并分析了环境温度从298 K到443 K变化对荧光强度的影响.结果表明随着温度的增加,荧光强度逐步变弱,其中~3p_0→~3H_4(480 nm)能级跃迁受温度影响最大,其次是~3p_1→~3H_5和~1D_2→~3H_4.