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WnSi20,±(n=1-5)团簇结构与光谱的理论研究
引用本文:张秀荣,刘小芳,康张李.WnSi20,±(n=1-5)团簇结构与光谱的理论研究[J].原子与分子物理学报,2010,27(5):869-877.
作者姓名:张秀荣  刘小芳  康张李
作者单位:江苏科技大学
摘    要:利用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/Lanl2dz水平上对WnSi20,±(n=1-5)团簇的各种可能构型进行了几何结构优化,预测了各团簇的基态结构。并对基态构型的平均结合能、能隙、红外光谱及拉曼光谱进行了系统的理论分析。结果表明:WnSi20,±(n=2-5)团簇的基态结构及亚稳态结构中的Si-Si原子不成键,W5Si20,±团簇的基态构型与W7团簇的基态构型相似,W3Si2+团簇的基态构型与W50,±团簇的基态构型相似;W5Si2-团簇是比较理想的复合材料;WnSi20,±(n=1-5)团簇的所有IR吸收峰都属于红外光谱中的指纹区的特征吸收区域;除W4Si2-团簇外,其它团簇都具有非刚性特性。

关 键 词:WnSi20  ±团簇  结构与光谱  密度泛函理论
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