WnSi20,±(n=1-5)团簇结构与光谱的理论研究 |
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引用本文: | 张秀荣,刘小芳,康张李.WnSi20,±(n=1-5)团簇结构与光谱的理论研究[J].原子与分子物理学报,2010,27(5):869-877. |
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作者姓名: | 张秀荣 刘小芳 康张李 |
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作者单位: | 江苏科技大学 |
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摘 要: | 利用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/Lanl2dz水平上对WnSi20,±(n=1-5)团簇的各种可能构型进行了几何结构优化,预测了各团簇的基态结构。并对基态构型的平均结合能、能隙、红外光谱及拉曼光谱进行了系统的理论分析。结果表明:WnSi20,±(n=2-5)团簇的基态结构及亚稳态结构中的Si-Si原子不成键,W5Si20,±团簇的基态构型与W7团簇的基态构型相似,W3Si2+团簇的基态构型与W50,±团簇的基态构型相似;W5Si2-团簇是比较理想的复合材料;WnSi20,±(n=1-5)团簇的所有IR吸收峰都属于红外光谱中的指纹区的特征吸收区域;除W4Si2-团簇外,其它团簇都具有非刚性特性。
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关 键 词: | WnSi20 ±团簇 结构与光谱 密度泛函理论 |
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