| 硫钝化GaAs MESFET的机理研究 |
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| 引用本文： | 邢东,李效白,刘立浩.硫钝化GaAs MESFET的机理研究[J].半导体技术,2002,27(7):61-64. |
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| 作者姓名： | 邢东 李效白 刘立浩 |
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| 作者单位： | 1. 河北半导体研究所,河北,石家庄,050051;2. 河北工业大学,天津,300130 |
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| 摘 要： | 研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因.
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| 关 键 词： | 硫钝化 GaA s MESFET 击穿电压 负电电荷表面态 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)07-0061-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月11日 |
Mechanism of sulfur passivation effects in GaAs MESFET |
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| XING Dong ,LI Xiao-bai,LIU Li-hao.Mechanism of sulfur passivation effects in GaAs MESFET[J].Semiconductor Technology,2002,27(7):61-64. |
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| Authors: | XING Dong LI Xiao-bai LIU Li-hao |
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| Institution: | XING Dong 1,LI Xiao-bai1,LIU Li-hao2 |
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| Abstract: | In this paper, we investigated the electrical characteristics of GaAs MESFETpassivated by (NH4)2Sx solution. The increase of breakdown voltage after passivation is explainedby negativly charged surface-state effect. |
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| Keywords: | sulfur passivation GaAs MESFET breakdown voltage negativly charged surface-state effect |
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