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高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现
引用本文:陈长平,佘鹏程,陈峰武,程文进,陈庆广.高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现[J].中国集成电路,2021(7):70-73.
作者姓名:陈长平  佘鹏程  陈峰武  程文进  陈庆广
摘    要:针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性.本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3%、靶材利用率超过30%的条形磁控溅射靶.

关 键 词:磁控溅射  镀膜均匀性  靶材利用率  薄膜混合集成电路
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