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| 无火焰原子吸收光谱测定痕量硅 | |
| 引用本文： | 徐学敏,李希云,崔仙航.无火焰原子吸收光谱测定痕量硅[J].光谱学与光谱分析,1984(4). |
| 作者姓名： | 徐学敏 李希云 崔仙航 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 痕量硅一般采用硅钼杂多酸分光光度法来测定,此法操作冗长、试剂空白高,不能适应高纯物质中痕量硅的测定。为此我们探索了无火焰原子吸收光谱测定痕量硅的条件,建立了测定痕量硅的方法。采用高温石墨炉原子吸收光谱测定硅已有报导,但由于硅能形成碳化物,使测定的灵敏度和精密度变坏。为了防止待测元素在石墨炉中形成碳化物,可在管内溅射涂层或放入内衬片;也可用能与石墨作用生成稳定碳化物的盐类预处理石墨炉管。处理方法可分二类:一是盐类溶液直接注入炉管内壁;二是用盐类溶液浸渍炉管,依据痕量分析的 |
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