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GaAs掺Mn材料的局域电子结构和磁性
引用本文:蔺何 段海明 张军. GaAs掺Mn材料的局域电子结构和磁性[J]. 新疆大学学报(理工版), 2005, 22(4): 379-382
作者姓名:蔺何 段海明 张军
作者单位:新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐830046
基金项目:国家自然科学基金项目(10347010,10247010);新疆大学21世纪教研工程项目(20030106).致谢:本文的部分研究工作是在中国科学院固体物理研究所访问学习时完成,在此特别感谢固体物理研究所曾雉研究员的指导和帮助,特此致谢!
摘    要:运用原子团模型研究了稀磁半导体GaAs掺Mn的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Mn原子磁矩随掺杂浓度没有明显的变化,磁矩的数值与实验符合的较好.在包含两个Mn原子的体系中Mn原子之间是铁磁性偶合,表明体系具有铁磁性基态,每个Mn原子的磁矩与掺杂一个Mn原子时相近.对于不同的掺杂浓度,Mn原子与最近邻As原子之间均为反铁磁偶合,Mn原子的3d电子与As原子的4p电子之间有很强的杂化.

关 键 词:稀磁半导体 密度泛函理论 原子团模型
文章编号:1000-2839(2005)04-0379-04
收稿时间:2005-09-07
修稿时间:2005-09-07

Local Electronic Structure and Magnetic Properties of (Ga,Mn)As
LIN He, DUANG Hai-ming, ZHANG Jun. Local Electronic Structure and Magnetic Properties of (Ga,Mn)As[J]. Journal of Xinjiang University(Science & Engineering), 2005, 22(4): 379-382
Authors:LIN He   DUANG Hai-ming   ZHANG Jun
Affiliation:Department of physics, X injiang University, Urumqi , Xinjian g 830046, China
Abstract:The local electronic structure and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor(Ga,Mn)As has been studied by using Discrete Variational approach based on density functional theory.The magnetic moments per Mn atom change lightly with Mn concentration variation,and the value of magnetic moment is in good agreement with experiment.The coupling between Mn atoms in(Ga,Mn)As is found to be ferromagnetic,which indicates that our system has ferromagnetic grand state.For all doping concentrations,the coupling between Mn and the nearest neighbor As is found to be antiferromagnetic,and Mn 3d states hybridize strongly with As 4p states.
Keywords:diluted magnetic semiconductor   density functional theory   cluster model
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