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二维MoS_2以及Pentacene/MoS_2异质结的光学和电学性质
摘    要:以硫粉末和MoO_3粉末作为原料,通过化学气相沉积法制备出MoS_2薄膜,用光学显微镜、原子力显微镜、喇曼光谱以及X射线衍射谱对所制备的MoS_2薄膜进行表征。结果表明:制备得到的二维MoS_2,其晶体形貌为三角形,尺寸约为60μm,薄膜厚度约为0.7nm;二维MoS_2可以作为理想的表面增强喇曼散射衬底,促进与有机小分子的电子转移,因此两者的喇曼光谱强度均增强。在MoS_2薄膜上沉积有机小分子pentacene制备出具有良好整流特性的有机-无机pentacene/MoS_2异质结,通过分析ln(I/V2)-1/V曲线,发现该异质结存在Fowler-Nordheim隧穿现象,logI-logV曲线显示当电压在0~1V时,电荷传导为欧姆导电,当电压高于1V时,电荷传导由空间电荷限制电流机制主导.研究结果可为单层MoS_2与有机小分子pentacene结合应用于光电领域提供基础.

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