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杂志ISSN号
砷化镓金属—氧化物—半导体器件工艺
作者姓名:
叶安祚
摘 要:
<正> 一、引言众所周知,用GaAs制作MOSFET,在速度方面比用Si要优越得多,这是因为电子在GaAs中的迁移率是在Si中的五倍以上,而且GaAs的禁带宽度比Si的宽。早在1967年,已做出了几百兆周的GaAs MOSFET[1,2]。但是,后来的发展很慢。其根本原因在于很难做出具有良好界面性能的缘绝层
关 键 词:
热氧化工艺
增强型
氧化物
砷化镓
器件工艺
耗尽型
沟道
半导体
自然氧化
欧姆接触
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