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| 砷化镓金属—氧化物—半导体器件工艺 | |
| 作者姓名： | 叶安祚 |
| 摘 要： | <正> 一、引言众所周知,用GaAs制作MOSFET,在速度方面比用Si要优越得多,这是因为电子在GaAs中的迁移率是在Si中的五倍以上,而且GaAs的禁带宽度比Si的宽。早在1967年,已做出了几百兆周的GaAs MOSFET[1,2]。但是,后来的发展很慢。其根本原因在于很难做出具有良好界面性能的缘绝层 |
| 关 键 词： | 热氧化工艺 增强型 氧化物 砷化镓 器件工艺 耗尽型 沟道 半导体 自然氧化 欧姆接触 |
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