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硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响
作者姓名:钟仕科
作者单位:江西大学物理系;
摘    要:在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。

关 键 词:过渡层  器件性能  热处理  界面态密度  晶面取向  半导体器件  氧化温度  电气特性  固定电荷密度  二氧化硅界面  
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