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杂志ISSN号
硅——二氧化硅界面电气特性及其对器件性能的影响
作者姓名:
钟仕科
作者单位:
江西大学物理系;
摘 要:
在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固定电荷的特性,以及它们如何影响器件性能的。同时也介绍了控制界面态密度和固定电荷密度的一些方法。这些方法能有效地提高半导体器件的性能。
关 键 词:
过渡层
器件性能
热处理
界面态密度
晶面取向
半导体器件
氧化温度
电气特性
固定电荷密度
二氧化硅界面
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