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| 硅中电离杂质的扩散问题 | |
| 引用本文： | 曾庆城.硅中电离杂质的扩散问题[J].南昌大学学报(理科版),1980,4(2):1. |
| 作者姓名： | 曾庆城 |
| 作者单位： | 江西大学物理系； |
| 摘 要： | 采用“电解水氧化显微法”,以大约270埃的精度检测了硼、磷杂质通过掩膜窗口在硅中扩散的纵向和横向的深度。讨论了杂质在硅中电离扩散的理论问题,在双扩散工艺的基础上,提出了新生表面层原子的氧化模型,同时给出了显微考证的实验照片。 |
| 关 键 词： | 统计规律 杂质电离 显微图象 杂质原子 硅原子 表面层 扩散运动 电离杂质 理论模型 自建电场 |
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