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| 硅内表面氧扩散分布的测量 | |
| 引用本文： | 曾庆城,钟仕科.硅内表面氧扩散分布的测量[J].南昌大学学报(理科版),1982,6(1):1. |
| 作者姓名： | 曾庆城 钟仕科 |
| 作者单位： | 江西大学物理系； 江西大学物理系； |
| 摘 要： | 利用二次离子质谱分析,对氧化硅内表面进行了氧含量的深度分析,结果表明:硅内表面层确实存在着氧扩散层,对于不同的氧化方式制备的样品,氧扩散层厚度不一,氧的纵向浓度分布规律也不同,然而,当扩散层厚度大于峰值位置以后,它们的分布规律变得大致相同。 |
| 关 键 词： | 氧化硅 二次离子质谱分析 表面层 扩散层厚度 杂质 分布规律 深度分析 表面氧 扩散分布 氧扩散 |
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