| 808nm无铝大功率量子阱激光器 |
| |
| 引用本文： | 王立军 武胜利. 808nm无铝大功率量子阱激光器[J]. 发光学报, 1997, 18(4): 360-362 |
| |
| 作者姓名： | 王立军 武胜利 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021;2. 中国科学院激发态物理开放研究实验室, 长春 130021 |
| |
| 基金项目： | “863”计划,国家自然科学基金,中国科学院院长基金 |
| |
| 摘 要： | 报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上,并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性.
|
| 关 键 词： | 半导体激光器 量子阱器件 |
808nm Al-FREE HIGH POWER LASER |
| |
| Wang Lijun,Wu Shengli,Liu Yun,Fu Dehui,Liu Yumei. 808nm Al-FREE HIGH POWER LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1997, 18(4): 360-362 |
| |
| Authors: | Wang Lijun Wu Shengli Liu Yun Fu Dehui Liu Yumei |
| |
| Affiliation: | 1. Changchun Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021;2. Laboratory of Excited State Processes, Chinese Academy of Sciences, Changchun 130021 |
| |
| Abstract: | The operating characteristics of Al-free InGaAsP/GaAs separate confinement he terostructure single quantum well (SCH SQW) high power laser by LP-MOCVD are reported.The external different quantum efficiency 65%,threshold current density 400A/cm2,CM output power 1W. |
| |
| Keywords: | semiconductor laser quantum well device |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《发光学报》下载免费的PDF全文 |
|
