稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延膜的反射的光致发光谱 |
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作者姓名: | 王学忠 王杰 |
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摘 要: | 测量了用热壁外延(HWE)生长的不同组分(0≤x≤0.98)的Zn1-xMnxSe薄膜在温度为300K下的反射光谱,用X射线能谱测定样品实际的组分x值,由此获得了其能隙Eg与组分x的关系:在0〈x〈0.2组分范围,Eg随x的变化显示了反常现象,当x〉0.2时,能隙Eg随x线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光,除观测到Mn^2+离子内部4T1→6A1发光峰外,在其低能边观测到一个较宽的发光峰
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关 键 词: | 稀磁半导体 反射光谱 光致发光 锌 锰 硒 |
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