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不饱和类锗烯H_2CGeNaBr的密度泛函理论研究
引用本文:谭海娜,肖翠平,李文佐,宫宝安,程建波.不饱和类锗烯H_2CGeNaBr的密度泛函理论研究[J].分子科学学报,2007(4).
作者姓名:谭海娜  肖翠平  李文佐  宫宝安  程建波
作者单位:烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院,烟台大学化学生物理工学院 山东烟台264005,山东烟台264005,山东烟台264005,山东烟台264005,山东烟台264005,吉林大学超分子结构与材料教育部重点实验室,吉林长春130012
基金项目:烟台大学博士基金资助项目(HY05B30)
摘    要:应用密度泛函理论DFT方法,在B3LYP/6-311G(d,p)水平上研究了不饱和类锗烯H2CGeNaBr的结构及异构化反应.结果表明,不饱和类锗烯H2CGeNaBr有3种平衡构型,其中非平面的p-配合物型构型能量最低,是其存在的主要构型.并对平衡构型间异构化反应的过渡态进行了计算,求得了转化势垒,预言了最稳定构型的振动频率和红外强度.

关 键 词:不饱和类锗烯H2CGeNaBr  B3LYP  异构化
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