n—GaAs(100),Si(111)表面修饰卟啉分子的光致界面电荷转移… |
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作者姓名: | 杨继华 张杰 |
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摘 要: | 利用表面光电压谱研究了四碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉(TTMAPPIH2)修饰n-GaAS(100)和n-Si(111)半导体表面的光致界面电荷转移特性。结果表明,n-GaAs(100)表面修饰TTMAPPIH2分子的光致界面电荷转移效率远比n-Si(111)表面修饰的高,并且发现在该卟啉分子的非吸收区也有明显的光致界面电荷转移现象,而与n-Si(111)间则没有这种转移特性。用电化学测量和UV
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关 键 词: | 四碘化四卟啉 表面修饰 电荷转移 |
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