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红外激光诱导SiO2薄膜生长的氧化动力学研究
引用本文:徐铸德,陈万喜.红外激光诱导SiO2薄膜生长的氧化动力学研究[J].高等学校化学学报,1994,15(10):1543-1546.
作者姓名:徐铸德  陈万喜
作者单位:浙江大学化学系
摘    要:在较低基底温度(室温至~200℃)下,用μ0.6μm CW CO2激光在硅(100)表面生成SiO2薄膜,研究了反应气配比(O2/N2),基底温度、激光强度、激光辐照时间等实验条件对SiO2薄膜形成的影响,探讨了红外激光助长的硅表面氧化反应动力学过程,认为在薄层氧化区域(<30nm)存在反应诱导期。

关 键 词:激光微化学  二氧化硅  薄膜  动力学

Experimental Study of Oxidation Dynamics of IR Laser-Induced SiO_2 Films
XU Zhu-De,CHEN Wan-Xi,DING Ji-Cheng.Experimental Study of Oxidation Dynamics of IR Laser-Induced SiO_2 Films[J].Chemical Research In Chinese Universities,1994,15(10):1543-1546.
Authors:XU Zhu-De  CHEN Wan-Xi  DING Ji-Cheng
Abstract:
Keywords:Laser micro-chemistry  SiO_2 film  Oxidation dynamics
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