| 宽带CMOS低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 承瑞清,李海松,李智群.宽带CMOS低噪声放大器的设计[J].电子与封装,2007,7(4):25-28. |
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| 作者姓名： | 承瑞清 李海松 李智群 |
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| 作者单位： | 1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学集成电路学院,南京,210096
2. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 摘 要： | 文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声系数 宽带匹配 |
| 文章编号： | 1681-1070（2007）04-0025-04 |
| 收稿时间： | 2006-12-12 |
| 修稿时间： | 2006年12月12 |
A Broad Band CMOS Low Noise Amplifier Design |
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| CHENG Rui-qing,LI Hai-song,LI Zhi-qun.A Broad Band CMOS Low Noise Amplifier Design[J].Electronics & Packaging,2007,7(4):25-28. |
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| Authors: | CHENG Rui-qing LI Hai-song LI Zhi-qun |
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| Abstract: | This paper presents a 350 MHz～470MHz low noise amplifier (LNA) implemented with process of 0.6μm standard CMOS technology. The design approach of LNA is discussed, which makes trade-off among noise figure (NF), power gain and linearity. Wideband I/O impedances matching network is analyzed meanwhile. The LNA exhibits working bandwidth with 350 MHz～470MHz, NF less than 3dB, gain of 24dB, gain flatness±1dB, input P1dB more than -15dBm. |
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| Keywords: | low noise amplifier (LNA) noise figure (NF) wideband matching |
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