| 电子辐照改善双极型开关晶体管反向击穿特性 |
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| 引用本文： | 陈祖良,岳巍,李兆龙,章月红,谢裕颖,吴华妹.电子辐照改善双极型开关晶体管反向击穿特性[J].半导体技术,2014,39(12). |
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| 作者姓名： | 陈祖良 岳巍 李兆龙 章月红 谢裕颖 吴华妹 |
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| 作者单位： | 浙江省能源与核技术应用研究院,杭州310012;杭州兰迪技术开发公司,杭州310012 |
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| 基金项目： | 浙江省科研院所扶持专项资助项目(2012F20006,2013F10056) |
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| 摘 要： | 利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。
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| 关 键 词： | 双极型晶体管 开关晶体管 电子辐照 退火工艺 反向击穿电压 |
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