| 基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计 |
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| 引用本文： | 李志国,余天宇,张颖,孙磊,潘亮.基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计[J].半导体技术,2014,39(8). |
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| 作者姓名： | 李志国 余天宇 张颖 孙磊 潘亮 |
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| 作者单位： | 北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102;北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102;北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102;北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102;北京中电华大电子设计有限责任公司,北京100102 |
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| 摘 要： | 研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。
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| 关 键 词： | 互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺 电阻电容触发NMOS 静电放电(ESD)电路 传输线脉冲(TLP)测试 热效应 |
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