蓝宝石图形衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN |
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引用本文: | 李水清.蓝宝石图形衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN[J].半导体技术,2014,39(8). |
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作者姓名: | 李水清 |
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作者单位: | 三安光电科技有限公司,福建厦门,361009 |
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摘 要: | 在图形化衬底上以AlN作为缓冲层生长高质量的GaN薄膜,国内相关的报道较少。通过引入两步缓冲层生长方法,在蓝宝石图形衬底上生长基于AlN缓冲层的高质量GaN薄膜,利用低温AlN层生长时内部的缺陷,选择性进行腐蚀,形成衬底与外延层界面间的侧向倒斜角,提高光萃取效率;同时在其上继续生长高温AlN,为后续GaN薄膜提供高质量模板。从外延角度出发,以表面形貌及其上生长的GaN薄膜的晶体质量为衡量依据,优化了低温AlN缓冲层以及高温AlN缓冲层的生长参数,优化后LED样品在20 mA测试电流下的光输出功率较参考样品提升了4%。
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关 键 词: | 氮化镓 氮化铝 图形化衬底 发光二极管 侧向出光 |
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