金电化学迁移引起的功放模块失效分析研究 |
| |
引用本文: | 张茗川,李宇超,马奔驰,季子路.金电化学迁移引起的功放模块失效分析研究[J].固体电子学研究与进展,2023(1):89-93. |
| |
作者姓名: | 张茗川 李宇超 马奔驰 季子路 |
| |
作者单位: | 南京电子器件研究所 |
| |
摘 要: | 针对某一型号功放模块在温度循环过程中出现无功率输出现象,对失效功放模块开展了分析研究。利用扫描电镜和能量色散X射线光谱仪对功放模块内部的MMIC芯片进行形貌观察和元素成分分析。结果表明功放模块内部的MMIC芯片栅极与漏极间发生了金的电化学迁移,导致馈电端短路,从而引起模块无功率输出。经故障复现试验,证实金的电化学迁移与器件内部的助焊剂残留相关,加电使用过程中,金电极在电场、水汽及助焊剂中电解质的共同作用下发生金迁移。
|
关 键 词: | 失效分析 金 电化学迁移 助焊剂残留 |
|
|