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| 甲酸根吸附热与其电子性质之间的关联：第一性密度泛函理论研究 | |
| 作者姓名： | 玛宏罹 王贵昌 MORIKAWA Yoshitada NAKAMURA Junji |
| 作者单位： | [1]南开大学化学学院与理论计算化学中心,天津300071 [2]The Institute of Scientific and Industrial Research （ISIR）, Osaka University, 8-1 Mihogaoka, Osaka 567-0047, Japan [3]Research Institute for Computational Sciences （RICS）, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology （AIST）, Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568 Japan [4]Institute of Materials Science, University of Tsukuba, Tennoudai 1-1-1,Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan |
| 摘 要： | 采用第一性密度泛函理论（DFT-GGA）研究了甲酸根（HCOO）在一系列金属表面的吸附．研究表明，HCOO的最稳定吸附位置是短桥位，吸附热顺序为Au（110）〈Ag（110）〈Cu（110）〈Pd（110）〈Pt（110）〈Ni（110）〈Rh（110）〈Fe（100）〈Mo（100）．HCOO吸附热可以很好地与相应的金属氧化物生成热关联．另外还发现，过渡金属的吸附热与金属的小带中心有很好地关联，第1B金属吸附热可以用耦合矩阵平方来解释． |
| 关 键 词： | 甲酸根 金属 DFT-GGA平板模型 吸附热 d带中心 |
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