| 无液封GaAs多晶合成技术 |
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| 引用本文： | 周春锋,杨连生,刘晏凤.无液封GaAs多晶合成技术[J].半导体技术,2009,34(4). |
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| 作者姓名： | 周春锋 杨连生 刘晏凤 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 利用As、Ga、GaAs的性质,开发出一种新的GaAs多晶合成方法.开展了φ130 mm合成系统的温度、压力优化实验.采用石墨盖代替BN坩埚盖,开发了100 mm新合成石墨系统,通过工艺实验确定加热电流、温度、压力随时间的变化,稳定了φ100 mm无液封GaAs多晶合成工艺.通过大量的实验,逐渐确定了两套无液封GaAs多晶合成的温度压力曲线,固化了坩埚密封结构,掌握了调节GaAs多晶料中化学计量比的方法.
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| 关 键 词： | 无液封 砷化镓多晶 合成 坩埚密封 石墨系统 |
Polycrystalline GaAs Synthesizing Technology Without Liquid Encapsulation |
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| Zhou Chunfeng,Yang Liansheng,Liu Yanfeng.Polycrystalline GaAs Synthesizing Technology Without Liquid Encapsulation[J].Semiconductor Technology,2009,34(4). |
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| Authors: | Zhou Chunfeng Yang Liansheng Liu Yanfeng |
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| Institution: | The 46th Research Institute;CETC;Tianjin 300220;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | without liquid encapsulation polycrystalline GaAs synthesize sealed crucible graphite system |
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