GaP(001)表面吸附性硫的第一性原理研究 |
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作者姓名: | 夏涛 |
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作者单位: | 湖北省钟祥市实验中学物理教研组 |
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摘 要: | 采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory)的第一性原理计算了GaP(001)面吸附硫原子后的表面结构和电子结构。计算表明,在Ga和P截止的GaP(001)-(1×2)表面吸附两个硫原子后,会形成(1×1)的重构表面,硫原子吸附在桥位置(HB)。电子结构的计算显示,吸附硫原子后,GaP带隙中的表面态密度(Density of States)明显减少了,这表明在GaP(001)表面吸附硫原子后达到了钝化的效果。
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关 键 词: | 密度泛函理论 表面吸附 GaP硫钝化 |
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