| 一个高精度低温漂的带隙基准源 |
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| 引用本文： | 吴相俊.一个高精度低温漂的带隙基准源[J].电子与封装,2007,7(12):24-26,29. |
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| 作者姓名： | 吴相俊 |
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| 作者单位： | 无锡市力芯微电子有限公司,江苏,无锡,214028 |
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| 摘 要： | 文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结,重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上,采用低失调电压运算放大器,融合了熔丝烧写调整电压技术,提出了一个温漂低于15×10-6℃-1的改进型带隙基准源电路。整个电路采用CSMC0.5μm工艺设计,采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差,输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。
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| 关 键 词： | 带隙基准电路 温度补偿 熔丝 |
| 文章编号： | 1681-1070（2007）12-0024-03 |
| 收稿时间： | 2007-09-17 |
| 修稿时间： | 2007年9月17日 |
High Precision Bandgap Voltage Reference with Low Temperature Excursion |
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| WU Xiang-jun.High Precision Bandgap Voltage Reference with Low Temperature Excursion[J].Electronics & Packaging,2007,7(12):24-26,29. |
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| Authors: | WU Xiang-jun |
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| Abstract: | The design of 15×10-6 ℃-1 CMOS bandgap voltage reference with temperature compensation technology and voltage compensation is described in this paper. The bandgap references are implemented in a standard 0.5μm CMOS process of CSMC. The entire circuit is simulated with HSPICE simulation tool. The reference output voltage and temperature compensation can adjust with fuse technology. |
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| Keywords: | bandgap voltage reference temperature compensation fuse |
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