| 发展InGaN基半导体绿色发光器件的材料挑战 |
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| 引用本文： | Fernando A. Ponce. 发展InGaN基半导体绿色发光器件的材料挑战[J]. 光学与光电技术, 2009, 7(5): 1-4 |
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| 作者姓名： | Fernando A. Ponce |
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| 作者单位： | Department of Physics, The University of Arizona, Tempe, AZ 85287-1504, USA |
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| 摘 要： | 我从事光电领域的研究已经很久了，20世纪70年代早期我在斯坦福大学就开始该方向的研究，在那里研究将光能转化为电能的太阳能电池。我的第一份工作是在惠普公司的Hewlett—Packard实验室，该公司在20世纪70年代早期的一个产品是计算器。计算器首先要用到集成电路，它要求电路达到很高的集成度，能够非常快地完成计算。但随后的问题就是如何显示出计算结果。
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| 关 键 词： | InGaN 发光器件 半导体 材料 集成电路 斯坦福大学 太阳能电池 计算器 |
Materials Challenges for InGaN-Based Light Emitting Devices |
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| Fernando A. Ponce. Materials Challenges for InGaN-Based Light Emitting Devices[J]. optics&optoelectronic technology, 2009, 7(5): 1-4 |
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| Authors: | Fernando A. Ponce |
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| Affiliation: | Department of Physics, The University of Arizona, Tempe, AZ 85287-1504, USA |
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| Abstract: | |
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