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| In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响 | |
| 引用本文： | 蔡旭浦,李万程,高福斌,景强,吴国光,张宝林,杜国同.In插入层对硅衬底外延InN晶体质量和光学特性的影响[J].发光学报,2014,35(1):96. |
| 作者姓名： | 蔡旭浦 李万程 高福斌 景强 吴国光 张宝林 杜国同 |
| 作者单位： | 蔡旭浦:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 李万程:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 高福斌:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 景强:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 吴国光:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 张宝林:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 杜国同:集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11304112); 博士后科学基金(2013M541301)资助项目 |
| 摘 要： | 在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后,采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料,结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明,在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌,提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明,0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小,光致发射谱半峰宽最窄,并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见,引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。 |
| 关 键 词： | InN Si 分子束外延 In插入层 |
| 收稿时间： | 2013/7/19 |
Influence of Indium Interlayer on The Crystal and Optical Properties of InN Grown on Silicon Substrate |
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| Abstract: | |
| Keywords: | InN Si MBE indium interlayer |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |