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| Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善 | |
| 引用本文： | 刘子洋,刘东洋,张世明,王学会,赵毅,刘式墉.Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善[J].发光学报,2014,35(2):195. |
| 作者姓名： | 刘子洋 刘东洋 张世明 王学会 赵毅 刘式墉 |
| 作者单位： | 刘子洋:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 刘东洋:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 张世明:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 王学会:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 赵毅:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 刘式墉:吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室， 吉林 长春130012 |
| 基金项目： | 国家重点基础研发项目(2010CB327701)； 国家自然科学基金(61275033)资助项目 |
| 摘 要： | 研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。 |
| 关 键 词： | 有机薄膜晶体管 并五苯 电性能 |
| 收稿时间： | 2013/10/1 |
Improving of The Performance of Organic Thin Film Transistor by Using Bphen Buffer Layer |
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| Abstract: | |
| Keywords: | OTFT pentacene electric performance |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |