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| 超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升 | |
| 引用本文： | 李红,甘至宏,刘星元.超薄EuF_3电极修饰层对有机场效应晶体管性能的提升[J].发光学报,2014,35(2):238. |
| 作者姓名： | 李红 甘至宏 刘星元 |
| 作者单位： | 李红:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春130033中国科学院大学， 北京100049 甘至宏:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春130033 刘星元:发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61106057)资助项目 |
| 摘 要： | 采用EuF3薄层修饰低功函数金属Ag源、漏电极,制备了CuPc有机场效应晶体管,研究了不同厚度EuF3对器件性能的影响。结果表明,EuF3的厚度由0 nm增至0.6 nm时,接触电阻由23.65×105Ω·cm减至3.86×105Ω·cm,使得器件载流子迁移率由1.5×10-3cm2·V-1·s-1提高到4.65×10-3cm2·V-1·s-1。UPS测试结果表明,薄层EuF3在Ag与有机半导体间形成了界面偶极势垒,使源漏电极表面功函数增大,空穴注入势垒降低,Ag电极与有机半导体层界面的接触电阻减小,进而提升了空穴的注入效率。 |
| 关 键 词： | 场效应晶体管 EuF 修饰层 |
| 收稿时间： | 2013/9/12 |
Improvements of Organic Field-effect Transistors by Introducing An EuF3 Ultra-thin Film as Modified Layer Electrode |
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| Abstract: | |
| Keywords: | field effect transistors europium fluoride modified layer |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |