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| 基于1.5GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究 | |
| 引用本文： | 黄建华,吴光,曾和平.基于1.5GHz多次谐波超短脉冲门控InGaAs/InP雪崩光电二极管的近红外单光子探测技术研究[J].光学学报,2014,34(2):204001-33. |
| 作者姓名： | 黄建华 吴光 曾和平 |
| 作者单位： | 黄建华:华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室, 上海 200062 吴光:华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室, 上海 200062 曾和平:华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室, 上海 200062 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61127014,11374105) |
| 摘 要： | 提出了一种高速门控盖格模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)单光子探测技术。将1.5GHz多次谐波超短脉冲加载到InGaAs/InP APD上,盖革模式下的光生雪崩信号埋藏在短脉冲充放电形成的噪声中,采用700MHz低通滤波器实现了50.6dB的噪声抑制比,有效地提取出了雪崩信号。通过半导体制冷,使InGaAs/InP APD工作在-30℃,1.5GHz短脉冲驱动下的InGaAs/InP APD在1550nm的探测效率为35%,暗计数率为每门6.4×10-5,超过了单纯使用1.5GHz正弦门的探测性能,而且在15%的探测效率下,2.7ns后发生后脉冲的概率仅为每门6.0×10-5。 |
| 关 键 词： | 探测器 单光子探测 铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管 |
| 收稿时间： | 2013/9/6 |
Study of 1.5 GHz Harmonics Ultrashort Pulse Gated InGaAs/InP Avalanche Photodiode Single-Photon Detection |
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| Abstract: | |
| Keywords: | detectors single-photon detection InGaAs/InP APD |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |