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| 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算 | |
| 引用本文： | 雷达,孟根其其格,梁静秋,王维彪. 一种平行背栅极碳纳米管阵列的场增强因子计算[J]. 发光学报, 2014, 35(2): 224 |
| 作者姓名： | 雷达 孟根其其格 梁静秋 王维彪 |
| 作者单位： | 雷达:内蒙古大学 鄂尔多斯学院， 内蒙古 鄂尔多斯017000 孟根其其格:内蒙古大学 鄂尔多斯学院， 内蒙古 鄂尔多斯017000 梁静秋:中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 王维彪:中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61261004，50072029，50572101)资助项目 |
| 摘 要： | 建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。 |
| 关 键 词： | 平行背栅极 碳纳米管阵列 场增强因子 悬浮球 |
| 收稿时间： | 2013-10-12 |
Modeling Calculation for Field Enhancement Factor on A Carbon Nanotube Array with Parallel Back-grid |
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| Abstract: | |
| Keywords: | parallel back-grid carbon nanotube array field enhancement factor floated sphere |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |